Infineon, IGBT, N Kanal Dubbel, 40 A, 8 Ben, PG-TISON-8 1 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 273-5238
- Tillv. art.nr:
- BSC0925NDATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
81,76 kr
(exkl. moms)
102,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 8,176 kr | 81,76 kr |
| 50 - 490 | 7,47 kr | 74,70 kr |
| 500 - 990 | 6,429 kr | 64,29 kr |
| 1000 - 2490 | 6,306 kr | 63,06 kr |
| 2500 + | 6,171 kr | 61,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5238
- Tillv. art.nr:
- BSC0925NDATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Konfiguration | Dubbel | |
| Kapseltyp | PG-TISON-8 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.1mm | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Höjd | 1.15mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Antal transistorer 1 | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Konfiguration Dubbel | ||
Kapseltyp PG-TISON-8 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.1mm | ||
Bredd 6.1mm | ||
Höjd 1.15mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET är en dubbel N-kanal MOSFET. Det är en optimerad för högpresterande buck-omvandlare. Denna MOSFET är kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar. Denna MOSFET är halogenfri enligt IEC61249 2 21-standard.
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
Mycket lågt motstånd vid påverkan
Optimerad för ren omkoppling
100-procentigt lavintestat
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, N Kanal Dubbel, 40 A, 8 Ben, PG-TISON-8 1 Genomgående hål
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 18 A 25 V N, 8 Ben, PG-TISON-8, BSC
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 17 A 30 V N, 8 Ben, PG-TISON-8, BSC
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TISON-8, OptiMOS
- Infineon, IGBT, N Kanal Enkel, 10.9 A, 8 Ben, PG-TDSON-8 1 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 153 A 25 V, 8 Ben, PG-TDSON-8 1 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q100, Strömsensor, 8 Ben, PG-TISON-8
- Infineon AEC, IC för strömsensor, 8 Ben, PG-TISON-8-5