Infineon, IGBT, 50 A 1200 V, 3 Ben, TO-247
- RS-artikelnummer:
- 260-5093
- Tillv. art.nr:
- IKQ50N120CH3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 30 enheter)*
1 786,17 kr
(exkl. moms)
2 232,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 59,539 kr | 1 786,17 kr |
| 60 - 60 | 56,564 kr | 1 696,92 kr |
| 90 + | 52,991 kr | 1 589,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5093
- Tillv. art.nr:
- IKQ50N120CH3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 652W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Bredd | 15.9 mm | |
| Längd | 41.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 652W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.1mm | ||
Bredd 15.9 mm | ||
Längd 41.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon hard switching high speed IGBT3 in a TO247 PLUS package copacked with a soft and fast recovery full current anti-parallel emitter controlled diode.
High efficiency in hard switching and resonant topologies
Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
Low gate charge QG