Infineon, IGBT, 75 A 1200 V, 3 Ben, TO-247
- RS-artikelnummer:
- 260-5099
- Tillv. art.nr:
- IKQ75N120CH3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
137,98 kr
(exkl. moms)
172,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 91 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 137,98 kr |
| 5 - 9 | 131,15 kr |
| 10 - 24 | 128,35 kr |
| 25 - 49 | 119,84 kr |
| 50 + | 111,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5099
- Tillv. art.nr:
- IKQ75N120CH3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 75A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 938W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.35V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 41.2mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 75A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 938W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 ±30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.35V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 41.2mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons hårdomkopplande höghastighets IGBT3 i en TO247-kapsel förpackad med en mjuk och snabb återställningsdiod med anti-parallell emitterstyrning av full ström.
Hög effektivitet i hårda omkopplings- och resonanstopologier
Enkel parallellkoppling tack vare positiv temperatur
Låg grindladdning QG
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, 75 A 1200 V, 3 Ben, TO-247
- Infineon, IGBT, 75 A 1200 V, 4 Ben, TO-247
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 100 A 1200 V, 4 Ben, TO-247
- Infineon, IGBT, 50 A 1200 V, 3 Ben, TO-247
- Infineon, IGBT, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1200 V 300 ns, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 50 A 1200 V 10 μs, 3 Ben, TO-247