Infineon, IGBT, 10 A 600 V 30 kHz, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 258-1003
- Tillv. art.nr:
- IKD10N60RFATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
16 295,00 kr
(exkl. moms)
20 370,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,518 kr | 16 295,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-1003
- Tillv. art.nr:
- IKD10N60RFATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 10A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Switchhastighet | 30kHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.2V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 10A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Switchhastighet 30kHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.2V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Pb-free lead plating | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon RC-Drives 600 V, 10 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.
Very tight parameter distribution
Best in class current versus package size performance
Outstanding temperature stability
Very good EMI behaviour
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, 10 A 600 V 30 kHz, TO-252
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 600 V 20 kHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT, 10 A 600 V, TO-252
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 6.5 A 600 V 30 kHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 20 kHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT, 15 A 600 V, TO-252
- Infineon, IGBT, 8 A 600 V, TO-252
- Infineon, IGBT, 6 A 600 V, TO-252
