STMicroelectronics, IGBT, 50 A 1200 V, 3 Ben Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 248-4896P
- Tillv. art.nr:
- STGYA50M120DF3
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 10 enheter (levereras i ett rör)*
658,60 kr
(exkl. moms)
823,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 41 enhet(er) från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 + | 65,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 248-4896P
- Tillv. art.nr:
- STGYA50M120DF3
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 535W | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | STGYA50M120DF3 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 15.9mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 535W | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.7V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie STGYA50M120DF3 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 15.9mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics-produkt är en IGBT som utvecklats med en avancerad proprietär trench gate-fältstoppstruktur. Enheten är en del av M-serien IGBT, som representerar en optimal balans mellan invertersystemets prestanda och effektivitet där låg förlust och kortslutningsfunktionalitet är avgörande. Dessutom resulterar den positiva VCEsat-temperaturkoefficienten och den snäva parameterfördelningen i säkrare parallelldrift.
Maximal kopplingstemperatur på 175 grader C
10 μs kortslutningshålltid
Låg VCEsat
Tight parameterfördelning
Positiv VCEsat-temperaturkoefficient
Låg värmeresistans
Mjuk och snabb antiparallelldiod för återhämtning