STMicroelectronics, IGBT, 50 A 1200 V, 3 Ben Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

85,23 kr

(exkl. moms)

106,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 41 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 485,23 kr
5 - 981,09 kr
10 - 2472,80 kr
25 - 4965,63 kr
50 +62,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-4896
Tillv. art.nr:
STGYA50M120DF3
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

535W

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.7V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

21.1 mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

STGYA50M120DF3

Längd

15.9mm

Höjd

5.1mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low loss and the short circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCEsat temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature of 175 degree C

10 μs of short circuit withstand time

Low VCEsat

Tight parameter distribution

Positive VCEsat temperature coefficient

Low thermal resistance

Soft and fast recovery antiparallel diode

Relaterade länkar