onsemi, IGBT-modul 1000 V, Q2PACK Yta 4
- RS-artikelnummer:
- 245-6974
- Tillv. art.nr:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 enhet)*
1 916,77 kr
(exkl. moms)
2 395,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 916,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 245-6974
- Tillv. art.nr:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1000V | |
| Maximal effektförlust Pd | 592W | |
| Antal transistorer | 4 | |
| Kapseltyp | Q2PACK | |
| Fästetyp | Yta | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 12.3mm | |
| Längd | 93.1mm | |
| Bredd | 47.3 mm | |
| Serie | NXH350N100H4Q2F2P1G | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1000V | ||
Maximal effektförlust Pd 592W | ||
Antal transistorer 4 | ||
Kapseltyp Q2PACK | ||
Fästetyp Yta | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 12.3mm | ||
Längd 93.1mm | ||
Bredd 47.3 mm | ||
Serie NXH350N100H4Q2F2P1G | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins
The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.
Extremely efficient trench with field stop technology
Low switching loss reduces system power dissipation
Module design offers high power density
Low inductive layout
Low package height
These devices are Pb free, Halogen Free and are RoHS Compliant