onsemi, IGBT-modul 1000 V, Q2PACK Yta 4

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 36 enheter)*

62 553,564 kr

(exkl. moms)

78 191,964 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
36 +1 737,599 kr62 553,56 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
245-6973
Tillv. art.nr:
NXH350N100H4Q2F2P1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1000V

Antal transistorer

4

Maximal effektförlust Pd

592W

Kapseltyp

Q2PACK

Fästetyp

Yta

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

93.1mm

Höjd

12.3mm

Serie

NXH350N100H4Q2F2P1G

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

47.3 mm

Fordonsstandard

Nej

Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins


The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.

Extremely efficient trench with field stop technology

Low switching loss reduces system power dissipation

Module design offers high power density

Low inductive layout

Low package height

These devices are Pb free, Halogen Free and are RoHS Compliant

Relaterade länkar