onsemi, IGBT-modul 1000 V, Q2PACK Yta 4
- RS-artikelnummer:
- 245-6973
- Tillv. art.nr:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 fack med 36 enheter)*
63 537,588 kr
(exkl. moms)
79 421,976 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 36 + | 1 764,933 kr | 63 537,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 245-6973
- Tillv. art.nr:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1000V | |
| Antal transistorer | 4 | |
| Maximal effektförlust Pd | 592W | |
| Kapseltyp | Q2PACK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 93.1mm | |
| Höjd | 12.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 47.3mm | |
| Serie | NXH350N100H4Q2F2P1G | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1000V | ||
Antal transistorer 4 | ||
Maximal effektförlust Pd 592W | ||
Kapseltyp Q2PACK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 93.1mm | ||
Höjd 12.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 47.3mm | ||
Serie NXH350N100H4Q2F2P1G | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Si/SiC Hybridmodul - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC-diod, Q2-paket Press-fit-stift
Anoden ON Semiconductor tre nivåers NPC Q2Pack-modul är en integrerad strömmodul med hög densitet som kombinerar högpresterande IGBT med robusta antiparallella dioder.
Mycket effektiv grop med fältstoppsteknik
Låg omkopplingsförlust minskar systemets strömförlust
Moduldesign ger hög effekttäthet
Låg induktiv layout
Låg kapslingshöjd
Dessa enheter är Pb-fria, halogenfria och RoHS-kompatibla
Relaterade länkar
- onsemi, IGBT-modul 1000 V, Q2PACK Yta 4
- onsemi, IGBT-modul 1000 V, PIM42 Yta 4
- onsemi, IGBT-modul 1000 V, PIM44 Yta 4
- onsemi, IGBT-modul 1000 V, Q2BOOST-PIM53 Yta 6
- onsemi, IGBT-modul 1000 V, Q2BOOST - Fodral 180BR Yta 2
- onsemi, IGBT-modul 1000 V, Q2BOOST – väska 180BG Yta 2
- onsemi, IGBT-modul, F1-4PACK Yta 4
- onsemi, IGBT-modul 1200 V, Q0PACK – väska 180AB Yta 4
