Infineon, IGBT-modul 750 V, HybridPACK 6
- RS-artikelnummer:
- 244-5877
- Tillv. art.nr:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 6 enheter)*
32 971,818 kr
(exkl. moms)
41 214,774 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 6 + | 5 495,303 kr | 32 971,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-5877
- Tillv. art.nr:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 750V | |
| Maximal effektförlust Pd | 870W | |
| Antal transistorer | 6 | |
| Kapseltyp | HybridPACK | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.35V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC24720 and IEC16022 | |
| Serie | FS950R08A6P2BBPSA1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 750V | ||
Maximal effektförlust Pd 870W | ||
Antal transistorer 6 | ||
Kapseltyp HybridPACK | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.35V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC24720 and IEC16022 | ||
Serie FS950R08A6P2BBPSA1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The infineon IGBT module drive is a very compact six-pack module (750 V/950 A) optimized for hybridand electric vehicles. The power module implements the new EDT2 IGBT generation, which is an automotive micro-pattern trench-field-stop cell design optimized for electric drive train applications. The chipset has benchmark current density combined with short circuit ruggedness and increased blocking voltage for reliable inverter operation under harsh environmental conditions. The EDT2 IGBTs also show excellent light load power losses, which helps to improve system efficiency over a real driving cycle. The EDT2 IGBT was optimized for applications with switching frequencies in the range of 10 kHz.
Electrical Features
Blocking voltage 750 V
Low VCEsat
Low switching losses
Low Qg and crss
Low inductive design Tvj op = 150° C
Short-time extended operation temperature Tvj op = 175°C
Mechanical features
4.2kV DC 1sec insulation
High creepage and clearance distances
Compact design
High power density
Direct cooled pinFin base plate
Guiding elements for PCB and cooler assembly
Integrated NTC temperature sensor
Pressfit contact technology
RoHS compliant
UL 94 V0 module frame
Relaterade länkar
- Infineon Nej FS950R08A6P2BBPSA1 HybridPACK 6
- Infineon Nej 750 A 1700 V, EconoDUALTM3 2
- Infineon Nej FF750R17ME7DB11BPSA1 750 A 1700 V, EconoDUALTM3 2
- Infineon Nej Typ N Kanal 20 Ben, Modul Klämma
- Infineon Nej FS820R08A6P2BBPSA1 Typ N Kanal 20 Ben, Modul Klämma
- Infineon Nej Typ N Kanal 33 Ben, AG-HYBRIDD Genomgående hål 6
- Infineon Nej 150 A 1200 V 6
- Infineon Nej 140 A 1200 V 6
