Infineon, IGBT-modul 750 V, HybridPACK 6
- RS-artikelnummer:
- 244-5877
- Tillv. art.nr:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 6 enheter)*
20 482,56 kr
(exkl. moms)
25 603,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 6 + | 3 413,76 kr | 20 482,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-5877
- Tillv. art.nr:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 750V | |
| Maximal effektförlust Pd | 870W | |
| Antal transistorer | 6 | |
| Kapseltyp | HybridPACK | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.35V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC24720 and IEC16022 | |
| Serie | FS950R08A6P2BBPSA1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 750V | ||
Maximal effektförlust Pd 870W | ||
Antal transistorer 6 | ||
Kapseltyp HybridPACK | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.35V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC24720 and IEC16022 | ||
Serie FS950R08A6P2BBPSA1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IGBT-moduldrivare är en mycket kompakt modul med sex förpackningar (750 V/950 A) optimerad för hybrid- och elfordon. Effektmodulen implementerar den nya EDT2 IGBT-generationen, som är en fordonskonstruktion med mikro-mönster och trench-fältstopp, optimerad för elektriska drivningssystem. Chipset har referensströmtäthet i kombination med kortslutningshållfasthet och ökad blockeringsspänning för tillförlitlig växelriktardrift under tuffa miljöförhållanden. EDT2 IGBT:erna visar också utmärkta effektförluster vid lätt belastning, vilket bidrar till att förbättra systemets effektivitet under en verklig körcykel. EDT2 IGBT optimerades för tillämpningar med omkopplingsfrekvenser i intervallet 10 kHz.
Elektriska egenskaper
Blockeringsspänning 750 V
Låg VCEsat
Låga omkopplingsförluster
Låg Qg och crss
Låg induktiv design Tvj op = 150 ° C
Kortvarig utökad drifttemperatur Tvj op = 175 °C
Mekaniska egenskaper
4,2 kV DC 1 sek isolering
Hög krypnings- och avståndsavstånd
Kompakt design
Hög effekttäthet
Direktkyld stiftFin-bottenplatta
Styrelement för montering av kretskort och kylar
Inbyggd NTC-temperatursensor
Pressfit-kontaktteknik
RoHS-kompatibel
Modulram enligt UL 94 V0
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-modul 750 V, HybridPACK 6
- Infineon N-kanal Kanal, IGBT-modul, 300 A 1200 V, HybridPACK, HybridPACK
- Infineon, IGBT-modul, 750 A 1700 V, EconoDUALTM3 2
- Infineon AQG 324, IGBT, Typ N Kanal Halvbrygga, 310 A 1200 V, HybridPACK Drive G2 6 Skruv
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 620 A 750 V Förbättring, HybridPACK Drive G2, HybridPACK Drive G2
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 820 A 750 V, 20 Ben, Modul Klämma
- Infineon AQG 324, IGBT-modul, N-kanal Kanal, 600 A 750 V, 76 Ben, Fack 6 Skruv
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 450 A 750 V, 33 Ben, AG-HYBRIDD Genomgående hål 6