Infineon, IGBT-modul, 140 A 1200 V 6
- RS-artikelnummer:
- 244-5858
- Tillv. art.nr:
- FS100R12KE3BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 10 enheter)*
10 712,24 kr
(exkl. moms)
13 390,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 20 enhet(er) levereras från den 25 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 10 + | 1 071,224 kr | 10 712,24 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-5858
- Tillv. art.nr:
- FS100R12KE3BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 140A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 480W | |
| Antal transistorer | 6 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.15V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | FS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 140A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 480W | ||
Antal transistorer 6 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.15V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie FS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 480 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Maximum collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA