Infineon, IGBT-modul, 450 A 1200 V 2

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

2 024,62 kr

(exkl. moms)

2 530,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 12 024,62 kr
2 - 41 983,97 kr
5 +1 785,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-5825
Tillv. art.nr:
FF300R12KT4HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

450A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

1600W

Antal transistorer

2

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.15V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

FF

Bredd

61.4mm

Längd

106.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon FF-serien IGBT-modul, 1200 V kollektor-sändarspänning, 450 A kollektorström – FF300R12KT4HOSA1


Denna IGBT-modul är en effekthalvledarenhet som är utformad för att växla och styra högspänningskretsar i industriella kraftsystem. Den kombinerar två transistorer i en enda kapsel för att hantera höga strömbelastningar och fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande termiska miljöer.

Funktioner och fördelar:


• 1200 V blockeringskapacitet för högspänningsomkopplingstillämpningar
• 450 A kontinuerlig kollektorström för att stödja höga strömkrav
• Maximal effektförlust på 1600 W för kontinuerlig drift med hög effekt
• 2,15 V låg Vce(sat) för minskade ledningsförluster
• 20 V maximalt gate-emittervärde för att definiera säkra drivgränser
• Fungerar upp till 175 °C för installationer med förhöjd temperatur

Användningsområden


• Lämplig för högspänningsmotordrivsystem
• Idealisk för industriella växelriktare som kräver hög ström
• Kan användas för steg för förnybar energiomvandlare
• Används med strömförsörjningar som behöver kompakta dubbla transistorer
• Kan användas i drag- eller kraft-elektronikmiljöer

Vilken transistorkonfiguration ger den?


Den innehåller två matchade transistorer i en enda modul som möjliggör synkrona eller komplementära omkopplingsarrangemang.

Vilka miljöextrema förhållanden tål den?


Den är klassad för drift ned till -40 °C och upp till 175 °C för drift över breda temperaturområden.

Hur påverkar grindemitterbegränsningen drivkretsen?


Gränsen för 20 V gate-emitter definierar den maximala tillåtna gate-drivspänningen och bestämmer den nödvändiga designen för gate-drivskydd och nivåförskjutning.

Vilka gränsvärden för elektrisk påfrestning bör konstruktörer följa?


Konstruktörer måste ta hänsyn till en 1200 V kollektor-emitter blockeringsgräns och ett 1600 W kapslingsavledningstak vid planering av värmehantering.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.