Infineon, IGBT-modul, 450 A 1.2 kV 2

RS-artikelnummer:: 244-5822
Tillv. art.nr:: FF300R12KT4HOSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Antal (1 fack med 10 enheter)*

14 351,23 kr

(exkl. moms)

17 939,04 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 18 maj 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per fack*
10 +	1 435,123 kr	14 351,23 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 244-5822
Tillv. art.nr:: FF300R12KT4HOSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic	450A
	Produkttyp	IGBT-modul
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo	1.2kV
	Maximal effektförlust Pd	1600W
	Antal transistorer	2
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO	20 V
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT	2.15V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	61.4mm
	Serie	FF
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	106.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 450A
	Produkttyp IGBT-modul
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.2kV
	Maximal effektförlust Pd 1600W
	Antal transistorer 2
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.15V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 61.4mm
	Serie FF
	Standarder/godkännanden No
	Längd 106.4mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - FF300R12KT4HOSA1

Infineon FF-serien IGBT-modul, 1200 V kollektor-sändarspänning, 450 A kollektorström – FF300R12KT4HOSA1

Denna IGBT-modul är en effekthalvledarenhet som är utformad för att växla och styra högspänningskretsar i industriella kraftsystem. Den kombinerar två transistorer i en enda kapsel för att hantera höga strömbelastningar och fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande termiska miljöer.

Funktioner och fördelar:

• 1200 V blockeringskapacitet för högspänningsomkopplingstillämpningar
• 450 A kontinuerlig kollektorström för att stödja höga strömkrav
• Maximal effektförlust på 1600 W för kontinuerlig drift med hög effekt
• 2,15 V låg Vce(sat) för minskade ledningsförluster
• 20 V maximalt gate-emittervärde för att definiera säkra drivgränser
• Fungerar upp till 175 °C för installationer med förhöjd temperatur

Användningsområden

• Lämplig för högspänningsmotordrivsystem
• Idealisk för industriella växelriktare som kräver hög ström
• Kan användas för steg för förnybar energiomvandlare
• Används med strömförsörjningar som behöver kompakta dubbla transistorer
• Kan användas i drag- eller kraft-elektronikmiljöer

Vilken transistorkonfiguration ger den?

Den innehåller två matchade transistorer i en enda modul som möjliggör synkrona eller komplementära omkopplingsarrangemang.

Vilka miljöextrema förhållanden tål den?

Den är klassad för drift ned till -40 °C och upp till 175 °C för drift över breda temperaturområden.

Hur påverkar grindemitterbegränsningen drivkretsen?

Gränsen för 20 V gate-emitter definierar den maximala tillåtna gate-drivspänningen och bestämmer den nödvändiga designen för gate-drivskydd och nivåförskjutning.

Vilka gränsvärden för elektrisk påfrestning bör konstruktörer följa?

Konstruktörer måste ta hänsyn till en 1200 V kollektor-emitter blockeringsgräns och ett 1600 W kapslingsavledningstak vid planering av värmehantering.