STMicroelectronics, IGBT 1200 V 5 μs, 3 Ben

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 2 enheter (levereras i ett rör)*

129,24 kr

(exkl. moms)

161,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 290 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
2 +64,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-3195P
Tillv. art.nr:
STGYA50H120DF2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

535W

Antal ben

3

Switchhastighet

5μs

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Serie

H

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics IGBT utvecklats med en avancerad proprietär trench grindfältsstoppstruktur. Denna enhet är en del av H-serien av IGBT, som representerar en optimal kompromiss mellan ledning och omkopplingsförluster för att maximera effektiviteten hos högfrekvensomvandlare. Dessutom resulterar en något positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient och en mycket snäv parameterfördelning i säkrare parallell drift.

Maximal samlingstemperatur TJ = 175 °C

5 μs kortslutningshålltid

Låg VCE(sat) = 2,1 V (typ) @ IC = 50 A

Tight parameterfördelning

Positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient

Låg värmeresistans

Mycket snabb antiparallelldiod

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.