Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- RS-artikelnummer:
- 232-6735
- Tillv. art.nr:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
645,12 kr
(exkl. moms)
806,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 21,504 kr | 645,12 kr |
| 60 - 120 | 20,433 kr | 612,99 kr |
| 150 - 270 | 19,574 kr | 587,22 kr |
| 300 - 570 | 18,711 kr | 561,33 kr |
| 600 + | 17,853 kr | 535,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-6735
- Tillv. art.nr:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 60A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.65V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 21.1mm | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | IKWH30N65WR5 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 60A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Antal transistorer 1 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.65V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 21.1mm | ||
Höjd 5.21mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Serie IKWH30N65WR5 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 30 A omvänd ledande TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT levereras i TO-247-3-HCC-paket med hög krypningsålder och avstånd. Den är speciellt optimerad för PFC-steg i RAC/CAC och DC/DC i svetstillämpningar. Utmärkt pris/prestanda-förhållande för WR5 IGBT ger tillgång till högpresterande teknik även för priskänsliga kunder. WR5 IGBT i TO-247-3-HCC möjliggör också mer tillförlitlig design med de ökade avstånden för frihet och krypningsålder.
Monolithiskt integrerad diod
Stabilt temperaturbeteende
Förbättrad tillförlitlighet mot förpackningskontaminering
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 83 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247 Yta