Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- RS-artikelnummer:
- 232-6729
- Tillv. art.nr:
- IKW40N120CS7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 30 enheter)*
1 157,19 kr
(exkl. moms)
1 446,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 120 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 38,573 kr | 1 157,19 kr |
| 60 - 120 | 36,643 kr | 1 099,29 kr |
| 150 + | 35,101 kr | 1 053,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-6729
- Tillv. art.nr:
- IKW40N120CS7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V (Transient gate-emitter Voltage: ±25 V) | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Serie | IKW40N120CS7 | |
| Bredd | 16.3 mm | |
| Längd | 21.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V (Transient gate-emitter Voltage: ±25 V) | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Höjd 5.3mm | ||
Serie IKW40N120CS7 | ||
Bredd 16.3 mm | ||
Längd 21.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon's 40 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 discrete comes in TO-247 package with EC7 diode inside. It offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications and the co-packed very soft and fast emitter controlled diode helps to minimize switching losses contributing to overall low total losses. Potential applications include industrial drives, industrial power supplies and solar inverters.
Good controllability
Full rated free wheeling diode with improved softness
Higher power density without heatsink redesign
Ease to design to meet EMI requirement
Relaterade länkar
- Infineon Nej IKW40N120CS7XKSA1 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej Typ N Kanal 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej IGQ75N120S7XKSA1 Typ N Kanal 1200 V PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
