Infineon, IGBT i TRENCHSTOP TM 5 Technology, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

123,65 kr

(exkl. moms)

154,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 320 enhet(er) från den 06 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2024,73 kr123,65 kr
25 - 4520,518 kr102,59 kr
50 - 12019,936 kr99,68 kr
125 - 24519,444 kr97,22 kr
250 +18,95 kr94,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6663
Tillv. art.nr:
IKP40N65H5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

74A

Produkttyp

IGBT i TRENCHSTOP TM 5 Technology

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

250W

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

Pb-free lead plating, RoHS

Serie

High Speed Fifth Generation

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 650v fifth generation duopack insulated-gate bipolar transistor and diode of high speed switching series in trenchstop technology.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar