Infineon, IGBT, N Kanal, 90 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6674
- Tillv. art.nr:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 435,38 kr
(exkl. moms)
1 794,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 240 enhet(er) levereras från den 11 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 47,846 kr | 1 435,38 kr |
| 60 - 120 | 45,457 kr | 1 363,71 kr |
| 150 + | 43,542 kr | 1 306,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6674
- Tillv. art.nr:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 90A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 395W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.65V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Längd | 41.42mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 90A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 395W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.65V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Längd 41.42mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon höghastighets femte generationens serie IGBT, 650 V max kollektorsändarspänning, 90 A max kontinuerlig kollektorström – IKW75N65EH5XKSA1
Denna IGBT är en strömomkopplande enhet som är utformad för högspännings- och högströmstillämpningar inom industriell elektronik. Den kombinerar snabb omkopplingsförmåga med robust spänningshantering för att stödja växelriktare och motorstyrtopologier. Komponenten levereras i en TO-247-förpackning med genomgående hål och är tillverkad enligt JEDEC-standarder för konsekventa elektriska egenskaper.
Funktioner och fördelar:
• 650 V Vceo-klassning möjliggör högspänningsväxelriktare
• 90 A kontinuerlig kollektorström stöder tunga motorbelastningar
• 1,65 V Vcesat minimerar ledningsförluster vid hög ström
• ±30 V grindtolerans möjliggör flexibla drivspänningar
• 395 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• Arbetsområde -40 °C till 175 °C passar miljöer med höga temperaturer
• 90 A kontinuerlig kollektorström stöder tunga motorbelastningar
• 1,65 V Vcesat minimerar ledningsförluster vid hög ström
• ±30 V grindtolerans möjliggör flexibla drivspänningar
• 395 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• Arbetsområde -40 °C till 175 °C passar miljöer med höga temperaturer
Användningsområden
• Lämplig för industriella motorstyrningsstegen
• Idealisk för trefasomriktare med utgångstransistorer
• Används med strömförsörjningar som kräver högströmsomkoppling
• Kan användas för drag- och kraftiga drivaggregat
• Lämplig för genomgående hålprototyper och kretskortsmonterade moduler
• Idealisk för trefasomriktare med utgångstransistorer
• Används med strömförsörjningar som kräver högströmsomkoppling
• Kan användas för drag- och kraftiga drivaggregat
• Lämplig för genomgående hålprototyper och kretskortsmonterade moduler
Vilka kapslingsegenskaper påverkar värmeöverföringen?
TO-247-formatet ger en stor metallbaksida för kylelementfäste och genomgående hålsladdar för säker montering, vilket möjliggör effektiv ledning av avledad effekt till extern kylning.
Hur påverkar gränsspänningsgränsen valet av drivare?
Med en maximal gate-emitter-klassning på ±30 V måste drivrutiner hålla gate-amplituden inom detta intervall för att förhindra enhetsbelastning samtidigt som den ger tillräcklig drivning för snabba omkopplingsövergångar.
Vilka överväganden gäller för parallell drift av flera enheter?
Vid delning av ström mellan enheter, se till att matchade Vcesat-egenskaper och individuell grindstyrning
tillräcklig värmehantering krävs för att förhindra värmeflöden vid ojämn belastningsfördelning.
Hur fungerar enheten vid höga omgivningstemperaturer?
Det specificerade arbetsområdet till 175 °C indikerar lämplighet för miljöer med höga temperaturer, men den termiska konstruktionen på systemnivå måste upprätthålla kopplingstemperaturer inom säkra gränser med tanke på förlustkapaciteten på 395 W.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, N Kanal, 90 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 90 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 100 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 83 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247 Yta
- Infineon, IGBT, N Kanal, 85 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
