Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 160 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

119,06 kr

(exkl. moms)

148,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 68 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4119,06 kr
5 - 9109,65 kr
10 - 24102,37 kr
25 - 4996,54 kr
50 +88,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6665
Tillv. art.nr:
IKQ100N60TXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

160A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

714W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.1mm

Längd

41.2mm

Serie

TrenchStop

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons bipolära transistor med isolerad grind med positiv temperaturkoefficient i mättnadsspänning har snabb anti-parallell emitterstyrd diod.

Högeffektiv

Låga omkopplingsförluster

Ökad tillförlitlighet

Låg elektromagnetisk störning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.