Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 600 V 20 kHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- RS-artikelnummer:
- 215-6657
- Tillv. art.nr:
- IKD15N60RATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
109,54 kr
(exkl. moms)
136,925 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 850 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,908 kr | 109,54 kr |
| 50 - 120 | 18,838 kr | 94,19 kr |
| 125 - 245 | 17,516 kr | 87,58 kr |
| 250 - 495 | 16,396 kr | 81,98 kr |
| 500 + | 15,098 kr | 75,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6657
- Tillv. art.nr:
- IKD15N60RATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 20kHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.1V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Serie | TrenchStop | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 20kHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.1V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Serie TrenchStop | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons bipolära transistor med isolerad port och integrerad diod i kapslingar ger utrymmesbesparande fördelar.
Högeffektiv
Låga omkopplingsförluster
Ökad tillförlitlighet
Låg elektromagnetisk störning
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 600 V 20 kHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 20 kHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 6.5 A 600 V 30 kHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT, 10 A 600 V 30 kHz, TO-252
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 6.5 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 600 V 100 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål