STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 LL Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras i ett rör)*

1 241,90 kr

(exkl. moms)

1 552,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 415 enhet(er) från den 06 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 12024,838 kr
125 +23,566 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
201-4418P
Tillv. art.nr:
STGWA30HP65FB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

167W

Kapseltyp

TO-247 LL

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

15.9mm

Serie

STG

Höjd

5.1mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics trench gate-fältstopp, 650 V, 30 A, höghastighets HB2-serien IGBT i ett TO-247-paket med långa ledningar, har en positiv VCE(sat) temperaturkoefficient.

Minimerad slutström

Tight parameterfördelning

Låg värmeresistans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.