Vishay, IGBT, Typ P Kanal, 8 Ben, PowerPAK SO-8 Yta

RS-artikelnummer:: 180-7802
Tillv. art.nr:: SI7489DP-T1-E3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay, IGBT, Typ P Kanal, 8 Ben, PowerPAK SO-8 Yta

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

135,07 kr

(exkl. moms)

168,84 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Håller på att utgå

30 kvar, redo att levereras
Sista 2 365 enhet(er) levereras från den 03 mars 2026

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	27,014 kr	135,07 kr
50 - 120	24,326 kr	121,63 kr
125 - 245	20,272 kr	101,36 kr
250 - 495	19,466 kr	97,33 kr
500 +	18,368 kr	91,84 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7802
Tillv. art.nr:: SI7489DP-T1-E3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	IGBT
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Kapseltyp	PowerPAK SO-8
	Fästetyp	Yta
	Kanaltyp	Typ P
	Antal ben	8
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO	50 V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	IEC 61249-2-21
	Höjd	1.12mm
	Längd	6.25mm
	Bredd	5.15 mm
	Fordonsstandard	Nej
	Energimärkning	61mJ

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp IGBT
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Kapseltyp PowerPAK SO-8
	Fästetyp Yta
	Kanaltyp Typ P
	Antal ben 8
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO 50 V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21
	Höjd 1.12mm
	Längd 6.25mm
	Bredd 5.15 mm
	Fordonsstandard Nej
	Energimärkning 61mJ

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

Vishays P-kanals SO-8 MOSFET för ytmontering är en ny produkt med en dräneringsspänning på 100 V och en maximal grindspänning på 20 V. Den har ett dräneringskällans motstånd på 41 mohm vid en grindkällans spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 83 W och en kontinuerlig dräneringsström på 28 A. Den har en minsta och en högsta driftspänning på 4,5 V respektive 10 V. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Halogenfria

• Nytt PowerPAK-hus med lågt värmebeständighet med låg profil på 1,07 mm

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C

• PWM-optimerad

• TrenchFET effekt MOSFET

Användningsområden

• Halvbrygga motordrivrutiner

• Högspännings icke-synkrona buck-omvandlare

• Lastomkopplare

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21