STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 10 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 168-8940
- Tillv. art.nr:
- STGP5H60DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
510,05 kr
(exkl. moms)
637,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 10,201 kr | 510,05 kr |
| 500 - 1200 | 9,946 kr | 497,30 kr |
| 1250 + | 9,69 kr | 484,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-8940
- Tillv. art.nr:
- STGP5H60DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 10A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 88W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.95V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Serie | Trench Gate Field Stop | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Energimärkning | 221mJ | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 10A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 88W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.95V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Serie Trench Gate Field Stop | ||
Höjd 9.15mm | ||
Energimärkning 221mJ | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 10 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 9 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 11 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 15 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 25 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål