IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 570 A 650 V 30 kHz, 3 Ben, TO-264 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 25 enheter)*

4 412,50 kr

(exkl. moms)

5 515,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 275 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
25 +176,50 kr4 412,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4588
Tillv. art.nr:
IXXK110N65B4H1
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

570A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

880W

Kapseltyp

TO-264

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

30kHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Serie

Trench

Energimärkning

3mJ

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, IXYS


Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar