IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 570 A 650 V 30 kHz, 3 Ben, TO-264 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 125-8051
- Tillv. art.nr:
- IXXK110N65B4H1
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
242,59 kr
(exkl. moms)
303,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 279 enhet(er) från den 27 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 242,59 kr |
| 2 - 4 | 217,62 kr |
| 5 - 9 | 206,75 kr |
| 10 - 24 | 196,78 kr |
| 25 + | 186,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 125-8051
- Tillv. art.nr:
- IXXK110N65B4H1
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 570A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 880W | |
| Kapseltyp | TO-264 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 30kHz | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.1V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | Trench | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Energimärkning | 3mJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 570A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 880W | ||
Kapseltyp TO-264 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 30kHz | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.1V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie Trench | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Energimärkning 3mJ | ||
IGBT Discretes, IXYS
Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 570 A 650 V 30 kHz, 3 Ben, TO-264 Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 600 V 60 kHz, 3 Ben, TO-264 Genomgående hål
- IXYS, Hög hastighet, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 1200 V 50 kHz, 3 Ben, TO-264 Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 430 A 650 V 30 kHz, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 62 A 1200 V 50 kHz, 4 Ben, SOT-227B Yta
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 152 A 1200 V 50 kHz, 4 Ben, SOT-227B Yta
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 1200 V 30 kHz, 3 Ben, PLUS247 Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 105 A 1200 V 50 kHz, 4 Ben, SOT-227B Yta