Infineon, IGBT, Typ P Kanal, 150 A 1200 V 20 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

RS-artikelnummer:: 162-3285
Tillv. art.nr:: IKQ75N120CT2XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon, IGBT, Typ P Kanal, 150 A 1200 V 20 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 483,70 kr

(exkl. moms)

3 104,70 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 17 juli 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
30 - 30	82,79 kr	2 483,70 kr
60 - 60	78,65 kr	2 359,50 kr
90 +	75,062 kr	2 251,86 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 162-3285
Tillv. art.nr:: IKQ75N120CT2XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	IGBT
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic	150A
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo	1200V
	Maximal effektförlust Pd	938W
	Kapseltyp	TO-247
	Fästetyp	Genomgående hål
	Kanaltyp	Typ P
	Antal ben	3
	Switchhastighet	20kHz
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT	2.15V
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO	20 V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Serie	TrenchStop
	Energimärkning	10.8mJ
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp IGBT
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 150A
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V
	Maximal effektförlust Pd 938W
	Kapseltyp TO-247
	Fästetyp Genomgående hål
	Kanaltyp Typ P
	Antal ben 3
	Switchhastighet 20kHz
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.15V
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Serie TrenchStop
	Energimärkning 10.8mJ
	Fordonsstandard Nej

Responding to the market requirement to accommodate ever increasing amounts of silicon in smaller, space saving packages, Infineon introduces the new package TO-247PLUS for 1200V IGBT. Higher current capability, improved thermal behaviour. The TO-247PLUS has the same outer dimensions as the industry standard TO-247, but due to the absence of the screw hole, allows up to 75A in 1200V co-packed with full rated 75A diode.

High power density – up to 75 A 1200 V IGBT co-packed with 75 A diode in TO-247 footprint

20% lower R th(jh) compared to TO-247 3 pin

Extended collector-emitter pin creepage of 4.25 mm

Extended clip creepage due to fully encapsulated front side of the package

Higher system power density – I c increase keeping the same system thermal performance

Lower thermal resistance R th(jh) and improved by ∼15% heat dissipation capability of TO-247PLUS vs TO-247

Higher reliability, extended lifetime of the device

Infineon, IGBT, Typ P Kanal, 150 A 1200 V 20 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Relaterade länkar