Semikron Danfoss, IGBT-modul, Typ N Kanal, 469 A 1200 V, 11 Ben, SEMiX3p Yta

Antal (1 enhet)*

2 372,72 kr

(exkl. moms)

2 965,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +2 372,72 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
122-0391
Tillv. art.nr:
SEMiX303GB12E4p
Tillverkare / varumärke:
Semikron Danfoss
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Semikron Danfoss

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

469A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Kapseltyp

SEMiX3p

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

11

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.4V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

150mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

Trench

Höjd

17mm

Fordonsstandard

Nej

Dual IGBT-moduler, SEMiX®


Dubbla IGBT-moduler från Semikron i moderna SEMiX®-kapslar med låg profil som är lämpliga för tillämpningar med halvbrygga för strömstyrning. Modulerna använder lödfri fjäder eller press-fit-kontakter för att möjliggöra en grinddrivare som monteras direkt på toppen av modulen, vilket sparar utrymme och ger högre anslutningstillförlitlighet. Typiska tillämpningar inkluderar AC-växelriktare, UPS, elektronisk svetsning och förnybara energisystem.

För lämpliga press-fit grinddrivmoduler, se 122-0385 till 122-0387

• Lödfritt monteringspaket med låg profil

• IGBT:er med Trenchgate-teknik

• VCE(sat) har positiv temperaturkoefficient

• Hög kortslutningsströmkapacitet

• Presspassningsstift som hjälpkontakter

• UL-märkt

IGBBT-moduler, Semikron


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.