Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 440 A 1200 V 0.18 μs, AG-62MM-1 Klämma

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 402,58 kr

(exkl. moms)

1 753,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Enheter
Per enhet
1 - 11 402,58 kr
2 - 41 332,46 kr
5 +1 276,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
111-6092
Tillv. art.nr:
FF300R12KE3HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

440A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

1450W

Kapseltyp

AG-62MM-1

Fästetyp

Klämma

Kanaltyp

Typ N

Switchhastighet

0.18μs

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.15V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

30.9mm

Bredd

61.4 mm

Längd

106.4mm

Standarder/godkännanden

EN 61140

Serie

62mm C

Fordonsstandard

Nej

IGBT-moduler, Infineon


Anoden Infineon sortimentet av IGBT-moduler erbjuder låg switchförlust för switchning av frekvenser upp till 60 Khz.

IGBT:erna spänner över en rad kraftmoduler som ECONOPACK-paketen med kollektor-emitterspänning på 1200 V, PrimePACK IGBT chopper-moduler med halvbrygga och NTC upp till 1600/1700V. PrimePACK IGBT:erna finns i industriella, kommersiella, bygg- och jordbruksfordon. N-kanals TRENCHSTOP TM och Fieldstop IGBT-moduler är lämpliga för hård- och mjukkopplande applikationer som t.ex. växelriktare, UPS och industriella frekvensomriktare.

Förpackningarna innehåller: 62 mm moduler, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar