STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 85 A 1600 V 331 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Antal (1 rör med 30 enheter)*

695,97 kr

(exkl. moms)

869,97 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 360 enhet(er) från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +23,199 kr695,97 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
468-506
Tillv. art.nr:
STGWA30IH160DF2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

85A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1600V

Maximal effektförlust Pd

395W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

331ns

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

20.1mm

Serie

IH2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics IGBT has been developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure, whose performance is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching applications.

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.