Starpower, IGBT Diskret, N Kanal, 100 A 30 ns, 4 Ben, TO-247PLUS-4L
- RS-artikelnummer:
- 427-754
- Tillv. art.nr:
- DG75A08TDFQ
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
84,44 kr
(exkl. moms)
105,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 20 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 42,22 kr | 84,44 kr |
| 20 - 198 | 38,025 kr | 76,05 kr |
| 200 - 998 | 35,055 kr | 70,11 kr |
| 1000 - 1998 | 32,535 kr | 65,07 kr |
| 2000 + | 26,71 kr | 53,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 427-754
- Tillv. art.nr:
- DG75A08TDFQ
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Starpower | |
| Produkttyp | IGBT Diskret | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 100A | |
| Maximal effektförlust Pd | 378W | |
| Kapseltyp | TO-247PLUS-4L | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 4 | |
| Switchhastighet | 30ns | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | DOSEMI | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Starpower | ||
Produkttyp IGBT Diskret | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 100A | ||
Maximal effektförlust Pd 378W | ||
Kapseltyp TO-247PLUS-4L | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 4 | ||
Switchhastighet 30ns | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie DOSEMI | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Starpower IGBT Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as solar power.
Low switching loss
Maximum junction temperature 175°C
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Very low reverse recovery loss based on SiC diode