ROHM, IGBT, N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247GE Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 265-337
- Tillv. art.nr:
- RGW80TS65DGC13
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
134,85 kr
(exkl. moms)
168,562 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 120 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 67,425 kr | 134,85 kr |
| 20 - 198 | 60,705 kr | 121,41 kr |
| 200 - 998 | 56,00 kr | 112,00 kr |
| 1000 - 1998 | 51,97 kr | 103,94 kr |
| 2000 + | 46,48 kr | 92,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-337
- Tillv. art.nr:
- RGW80TS65DGC13
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Kapseltyp | TO-247GE | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Kapseltyp TO-247GE | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM IGBT är idealisk för tillämpningar som effektfaktorkorrigering, solcellsväxelriktare, avbrottsfria strömförsörjningar, svetsning och induktionsuppvärmning. Den har en låg kollektor till emittermättnadsspänning, vilket förbättrar effektiviteten. Dessutom säkerställer den låga omkopplingsförlusten och mjuka omkopplingsfunktioner tillförlitlig prestanda och förbättrad värmehantering, vilket gör den till ett perfekt val för tillämpningar med hög effektivitet.
Blyplätering utan bly
RoHS-kompatibel
Höghastighetsomkoppling
Inbyggd mycket snabb och mjuk återställning FRD
Relaterade länkar
- ROHM, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247GE Genomgående hål
- ROHM, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V, 3 Ben, TO-247GE Genomgående hål
- ROHM, IGBT, Typ N Kanal, 95 A 650 V, 3 Ben, TO-247GE Genomgående hål
- ROHM, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V, 3 Ben, TO-247GE Genomgående hål
- ROHM, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247GE Genomgående hål
- ROHM, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-247GE Genomgående hål
- ROHM, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247GE Genomgående hål
- ROHM, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 650 V, 3 Ben, TO-247GE Genomgående hål