Infineon MOSFET, MOSFET 2, 6 A, 8 Ben 17 V, DSO

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

13 548,00 kr

(exkl. moms)

16 935,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +13,548 kr13 548,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6017
Tillv. art.nr:
1EDC60I12AHXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

6A

Antal ben

8

Falltid

9ns

Kapseltyp

DSO

Typ av drivsteg

MOSFET

Antal utgångar

2

Stigtid

10ns

Minsta matningsspänning

15V

Antal drivare

2

Maximal matningsspänning

17V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Bredd

6.4 mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

1EDC60I12AH

Höjd

2.65mm

Längd

7.6mm

Fästetyp

Yta

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 1EDCxxI12AH are galvanically isolated single channel IGBT driver in a PG-DSO-8-59 package that provide output current up to 10 A at separated output pins. The input logic pins operate on a wide input voltage range from 3 V to 15 V using scaled CMOS threshold level to support even 3.3 V microcontroller. Data transfer across the isolation barrier is realized by the coreless transformer technology.

Single channel isolated IGBT driver

For 600 V/650 V/1200 V IGBTs, MOSFETs and SiC MOSFETs

Up to 10 A typical peak current at rail-to-rail outputs

Separate source and sink output

Relaterade länkar

Recently viewed