Infineon MOSFET, MOSFET 2, 3 A, 8 Ben 17V, DSO

Se alla Gate-drivare

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

15 590,00 kr

(exkl. moms)

19 490,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +15,59 kr15 590,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6010
Tillv. art.nr:
1EDC30I12MHXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

3A

Antal ben

8

Kapseltyp

DSO

Falltid

9ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

10ns

Minsta matningsspänning

15V

Maximal matningsspänning

17V

Antal drivare

2

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

7.6mm

Höjd

2.65mm

Serie

1EDC30I12MH

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineon 1EDCxxI12MH är galvaniskt isolerade IGBT-drivare med en kanal i ett PG-DSO-8-59-paket som ger utgångsström upp till 3 A och en integrerad aktiv Miller-klämkrets med samma nominella ström för att skydda mot parasitisk påslagning. Ingångslogikens stift fungerar på ett brett inspänningsområde från 3 V till 15 V med skalad CMOS-tröskelnivå för att stödja även 3,3 V-mikrokontroller. Dataöverföring över isolationsbarriären realiseras av den kärnlösa transformatortekniken.

Isolerad gate-drivare med en kanal

För 600 V/650 V/1 200 V IGBT, MOSFET och SiC MOSFET

Upp till 6 A typisk toppström vid skena-till-skena-utgång

Aktiv frästångsklämma

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.