STMicroelectronics MOSFET, Gate-drivare 1, 4 A, 8 Ben 6.5 V, SO-8W

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

31 046,00 kr

(exkl. moms)

38 808,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 100031,046 kr31 046,00 kr
2000 +29,494 kr29 494,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5091
Tillv. art.nr:
STGAP2SICSTR
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

Gate-drivare

Utström

4A

Antal ben

8

Kapseltyp

SO-8W

Falltid

30ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Minsta matningsspänning

6.5V

Maximal matningsspänning

6.5V

Antal drivare

1

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

2.64mm

Serie

STGAP2SICSTR

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

6.05mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TW
The STMicroelectronics galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs. It is a single gate driver which provides galvanic isolation between the gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The gate driver is characterized by 4 A capability and rail to rail outputs, making the device also suitable for mid and high power applications such as power conversion and motor driver inverters in industrial applications.

Separate sink and source option for easy gate driving configuration

UVLO function

Temperature shut-down protection

Standby function

Relaterade länkar