STMicroelectronics MOSFET, Gate-drivare 1, 4 A, 8 Ben 6.5V, SO-8W
- RS-artikelnummer:
- 273-5091
- Tillv. art.nr:
- STGAP2SICSTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 1000 enheter)*
31 987,00 kr
(exkl. moms)
39 984,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 31,987 kr | 31 987,00 kr |
| 2000 + | 30,388 kr | 30 388,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5091
- Tillv. art.nr:
- STGAP2SICSTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 4A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 30ns | |
| Kapseltyp | SO-8W | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Minsta matningsspänning | 6.5V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 6.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 6.05mm | |
| Höjd | 2.64mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | STGAP2SICSTR | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 4A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 30ns | ||
Kapseltyp SO-8W | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Minsta matningsspänning 6.5V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 6.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 6.05mm | ||
Höjd 2.64mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie STGAP2SICSTR | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
STMicroelectronics galvaniskt isolerade 4 A enkla grinddrivare för SiC MOSFET:er. Det är en enkel grinddrivare som ger galvanisk isolation mellan grindstyrningskanalen och lågspänningskontroll- och gränssnittskretsen. Grinddrivrutinen kännetecknas av 4 A kapacitet och utgångar från skena till skena, vilket gör enheten också lämplig för medel- och högeffektsanvändningar som effektomvandling och motordrivrutinsomvandlare i industriella tillämpningar.
Separat spis- och källalternativ för enkel grindstyrningskonfiguration
UVLO-funktion
Temperaturnedstängningsskydd
Standby-funktion
Relaterade länkar
- STMicroelectronics MOSFET, Gate-drivare 1, 4 A, 8 Ben 6.5V, SO-8W
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivare 1, 3 A, 8 Ben 5.5V, SO-8W
- AEC-Q100 STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 1, 68 mA, 8 Ben 26V, SO-8W
- STMicroelectronics MOSFET 1, 8 Ben, SO-8W
- STMicroelectronics MOSFET, MOSFET 1, 4 A, 8 Ben 5.25V, SO-8W
- STMicroelectronics MOSFET, Gate-drivare 1, 4 A, 8 Ben 5.5V, SO-8
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivare 1, 3 A, 8 Ben 5.5V, SO-8
- STMicroelectronics MOSFET, Gate-drivare 2, 6 A, 16 Ben 21V, SO-16
