STMicroelectronics MOSFET, MOSFET 1, 4 A, 8 Ben 5.25 V, SO-8W
- RS-artikelnummer:
- 276-873
- Tillv. art.nr:
- STGAP2SICSACTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
31,70 kr
(exkl. moms)
39,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 15,85 kr | 31,70 kr |
| 20 - 198 | 15,40 kr | 30,80 kr |
| 200 + | 15,065 kr | 30,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 276-873
- Tillv. art.nr:
- STGAP2SICSACTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 4A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 30ns | |
| Kapseltyp | SO-8W | |
| Antal utgångar | 1 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Minsta matningsspänning | 3.1V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 5.25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -25°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 60°C | |
| Standarder/godkännanden | CSA - C22.2 No. 60947-4-1-14, IEC/EN 60947-4-1, UL 60947-4-1, RoHS | |
| Serie | STGAP2SICSACTR | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 4A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 30ns | ||
Kapseltyp SO-8W | ||
Antal utgångar 1 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Minsta matningsspänning 3.1V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 5.25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -25°C | ||
Maximal arbetstemperatur 60°C | ||
Standarder/godkännanden CSA - C22.2 No. 60947-4-1-14, IEC/EN 60947-4-1, UL 60947-4-1, RoHS | ||
Serie STGAP2SICSACTR | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
STMicroelectronics galvaniskt isolerade enskilda grinddrivrutiner ger galvanisk isolering mellan grindstyrkanalen och lågspänningsstyrning och gränssnittskretsar. Grinddrivrutinen kännetecknas av 4 A kapacitet och utgångar från skena till skena, vilket gör enheten också lämplig för medel- och högeffektsanvändningar som effektomvandling och motordrivrutinsomvandlare i industriella tillämpningar. Enheten har en enda utgångsstift och Miller CLAMP-funktion som förhindrar grindspik under snabba omvandlingar i halvbro-topologier. Denna konfiguration ger hög flexibilitet och minskad materialkostnad för externa komponenter.
AEC-Q100-kvalificerad
Temperaturavstängningsskydd
Standby-funktion
6 kV galvanisk isolering
Bredhus SO 8 W hölje
UL 1577-märkt
Räls-till-räls utgångar
4 A Miller CLAMP dedikerade stiften
UVLO-funktion
Relaterade länkar
- STMicroelectronics MOSFET 4 A SO-8W
- STMicroelectronics MOSFET 4 A SO-8
- STMicroelectronics MOSFET 4 A SO-8W
- STMicroelectronics Gate-drivare 3 A SO-8W
- STMicroelectronics STGAP2HSACTR 68 mA 8-Pin 26 V, SO-8W
- STMicroelectronics MOSFET 4 A SO-8
- STMicroelectronics MOSFET 4 A SO-8
- STMicroelectronics MOSFET 4 A SO-8
