Infineon MOSFET, MOSFET, 4 A, 8 Ben 600 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 260-5221
- Tillv. art.nr:
- IRS21867SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
75,26 kr
(exkl. moms)
94,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 220 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,052 kr | 75,26 kr |
| 50 - 120 | 13,686 kr | 68,43 kr |
| 125 - 245 | 12,79 kr | 63,95 kr |
| 250 - 495 | 11,872 kr | 59,36 kr |
| 500 + | 10,976 kr | 54,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5221
- Tillv. art.nr:
- IRS21867SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 4A | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 18ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Stigtid | 38ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 600V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS21867S | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 4A | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 18ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Antal utgångar 2 | ||
Stigtid 38ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 600V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie IRS21867S | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels.
Floating channel designed for bootstrap operation
Under voltage lockout for both channels
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 4 A, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 200 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 600 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets, 360 mA, 8 Ben 600 V, SOIC