Infineon MOSFET, MOSFET 2, 2 A, 14 Ben 600 V, PDIP
- RS-artikelnummer:
- 260-5178
- Tillv. art.nr:
- IR2110PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 25 enheter)*
537,60 kr
(exkl. moms)
672,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 350 enhet(er) från den 05 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 21,504 kr | 537,60 kr |
| 50 - 100 | 20,052 kr | 501,30 kr |
| 125 - 225 | 19,524 kr | 488,10 kr |
| 250 - 600 | 19,022 kr | 475,55 kr |
| 625 + | 18,547 kr | 463,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5178
- Tillv. art.nr:
- IR2110PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 2A | |
| Antal ben | 14 | |
| Kapseltyp | PDIP | |
| Falltid | 17ns | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 35ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 600V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | IR2110/IR2113 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 2A | ||
Antal ben 14 | ||
Kapseltyp PDIP | ||
Falltid 17ns | ||
Antal utgångar 2 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 35ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 600V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie IR2110/IR2113 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET-grinddrivdon, 20V matningsspänning, 2,5A utgångsström - IR2110PBF
Denna MOSFET-gate driver är konstruerad för att driva högspänningsapplikationer och stöder hög- och lågsidiga konfigurationer. Den har en kompakt 14-ledars PDIP-packning, vilket gör den lätt att integrera i olika kretsar inom kraftelektronikområdet. Med en stigtid på 25 ns och en falltid på 17 ns ger den snabba svarstider som är nödvändiga för effektiv strömhantering.
Funktioner & fördelar
• Utformad för bootstrap-drift med möjlighet till flytande kanaler
• Driftspänningstolerans på upp till 600 V för hög tillförlitlighet
• Kompatibel med standard CMOS- och LSTTL-logik ner till 3,3 V
• Matchad propagationsfördröjning förenklar högfrekvenstillämpningar
Användningsområden
• Används i motorstyrsystem för smidig drift
• Lämplig för styrning av IGBT:er i industriella
• Används i system för förnybar energi, t.ex. solcellsväxelriktare
• Används i automationsutrustning för förbättrad prestanda
Vilka skydd erbjuder denna grinddrivrutin för att förbättra kretssäkerheten?
Drivdonet har underspänningsspärr för båda kanalerna, vilket förhindrar felfunktion på grund av låg matningsspänning. Det garanterar säker drift och skyddar tillhörande komponenter från potentiella skador.
Hur hjälper detta drivdon till att hantera högfrekventa växlingar?
Den matchade propagationsfördröjningen för både hög- och lågsidans utgångar är avgörande för att bibehålla timingnoggrannheten, minimera korsledning och säkerställa effektiv switchprestanda i högfrekvensmiljöer.
Vad bör jag tänka på när det gäller strömförsörjning när jag använder den här drivrutinen?
Gate-drivdonet kräver en strömförsörjning inom intervallet 10V till 20V för optimal prestanda. Dessutom är en separat logikförsörjning från 3,3 V till 20 V avgörande för korrekt drift, vilket möjliggör olika logiknivåer.
Kan den användas effektivt i system som arbetar med högre spänningar än standardspänningar?
Ja, den här drivrutinen kan användas effektivt i system med höga spänningskrav och klarar upp till 600 V, vilket gör den lämplig för tunga applikationer i olika elektriska system.