Infineon MOSFET, Gate-drivare, 2 A, 14 Ben 300mV, PDIP

Denna grinddrivare ger tvåkanalig MOSFET-drivkapacitet för strömomkopplingstillämpningar, utformad för att ansluta mellan logiknivåstyrning och effekttransistorer samtidigt som den arbetar inom ett brett temperaturområde. Den levereras som en 14-stifts PDIP-enhet avsedd för ytmontering och erbjuder riktad prestanda för system som kräver måttlig utgångsstyrning och snabba omkopplingsövergångar.

• Dubbla utgångar ger 2 A drivström för effektiv MOSFET-omkoppling
• Minsta matningskrav på 10 V säkerställer stabila gate-drivenivåer
• Stigtid 25 ns möjliggör snabb påslagning för minskade omkopplingsförluster
• Falltid 25 ns ger snabb avstängning för att begränsa korskoppling
• Fungerar från -40 till 125 °C för miljöer med höga temperaturer
• RoHS-kompatibel konstruktion stöder reglerade tillverkningsprocesser

• Lämplig för att driva effekt-MOSFET:er i motorstyrningar
• Idealisk för användning i grindsteg för DC/DC-omvandlare
• Används med halv- och fullbrygga strömbrytare
• Kan användas för industriell växelriktargrindstyrning
• Används för gate-drivkretsar med pulsbreddsmodulering

Den levereras i ett 14-stifts PDIP-paket som är lämpligt för genomgående hål eller kompatibla ytmonteringsarrangemang.

Varje utgång kan generera eller generera upp till 2 A för att direkt driva vanliga MOSFET-grindar.

Drivaren kräver en lägsta matningsspänning på 10 V och specificeras med en lågspänningströskelreferens på 0,3 V max för vissa interna nivåer.

Enheten är klassad för drift upp till 125 °C maximalt, vilket möjliggör användning i termiskt krävande system.