Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 14 Ben 25 V, DSO
- RS-artikelnummer:
- 258-0608
- Tillv. art.nr:
- 2ED21094S06JXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
28,22 kr
(exkl. moms)
35,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 256 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 14,11 kr | 28,22 kr |
| 20 - 48 | 11,31 kr | 22,62 kr |
| 50 - 98 | 10,64 kr | 21,28 kr |
| 100 - 198 | 9,855 kr | 19,71 kr |
| 200 + | 9,185 kr | 18,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0608
- Tillv. art.nr:
- 2ED21094S06JXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 14 | |
| Falltid | 35ns | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | 2ED21094S6J | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 14 | ||
Falltid 35ns | ||
Kapseltyp DSO | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie 2ED21094S6J | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon half bridge gate driver is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages of up to - 11 V on VS pin on transient voltages. There are not any parasitic thyristor structures present in the device, hence no parasitic latch up may occur at all temperature and voltage conditions.
Maximum supply voltage of 25 V
Dual package options of DSO-8 and DSO-14
High and low voltage pins separated for maximum creep age and clearance
Separate logic and power ground with the 2ED21094S06J version
Shutdown input turns off both channels