Infineon Gate-drivare, Grinddrivare, IC 1, 240 mA, 6 Ben 18V, SOT-23

Denna grinddrivkrets IC ger en kompakt, enkanalig drivlösning för ström-MOSFET-omkoppling i tillämpningar som kräver en måttlig grindström och ett paket med lågt antal stift. Den är utformad för att fungera över ett medelmåttigt matningsområde och för att fungera över ett brett omgivningstemperaturfönster, vilket gör den lämplig för krävande elektroniska styrningsuppgifter där utrymmet är begränsat och termisk motståndskraft krävs.

• 240 mA-utgång med en kanal ger tillräcklig grindladdningsdrivning för MOSFET-omkoppling
• Snabb stigning85 ns fall40 ns övergångar minskar omkopplingsförluster och förbättrar effektiviteten
• Fungerar från 10 V till 18 V matning för flexibla matningsarrangemang
• 6-stifts SOT-23-förpackning minimerar kretskortets fotavtryck för kompakta layouter
• Klassad för drift från -55 °C till 150 °C, stöder miljöer med höga temperaturer

• Lämplig för grinddrivning i kompakta strömomvandlare
• Idealisk för motorstyrningssteg med lågt antal stift
• Används med diskreta MOSFET:er i switchregulatorer
• Kan användas för värmestressade strömomkopplingskretsar
• Lämplig för implementering av kompakta drivrutiner på täta kretskort

Den levererar en topputgångsström för gate-drivning på 240 mA som är lämplig för MOSFET:er med måttlig gate-laddning.

Enheten levereras i ett SOT-23-paket med totalt 6 stift för att minska kortytan.

Det kräver en strömförsörjning inom 10 V till 18 V-fönstret för att säkerställa normal funktionalitet.

Den är specifik för drift över temperaturer från -55 °C upp till 150 °C.

Komponenten är RoHS-kompatibel, vilket indikerar efterlevnad av specificerade materialbegränsningar.