Renesas Electronics MOSFET, Gate-drivarmodul, 185 μA, 24 Ben 15 V, SOIC

Se alla Gate-drivare
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

77,75 kr

(exkl. moms)

97,19 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 991 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4977,75 kr
50 - 9966,98 kr
100 - 24958,35 kr
250 - 49955,55 kr
500 +49,28 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
256-1552
Tillv. art.nr:
HIP4086ABZT
Tillverkare / varumärke:
Renesas Electronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Renesas Electronics

Produkttyp

Gate-drivarmodul

Utström

185μA

Antal ben

24

Kapseltyp

SOIC

Falltid

10ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Minsta matningsspänning

7V

Maximal matningsspänning

15V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Renesas MOSFET driver is 3-phase N-channel MOSFET drivers. Both parts are specifically targeted for PWM motor control. These drivers have flexible input protocol for driving every possible switch combination. The user can even override the shoot-through protection for switched reluctance applications.

Independently drives 6 N-channel MOSFETs in 3-phase bridge configuration

Bootstrap supply maximum voltage up to 95VDC with bias supply from 7V to 15V

1.25A peak turn-off current

User programmable dead time (0.5μs to 4.5μs)

Bootstrap and optional charge pump maintain the high-side driver bias voltage.

Programmable bootstrap refresh time

Drives 1000pF load with typical rise time of 20ns and fall time of 10ns

Programmable under voltage set point

Relaterade länkar