onsemi MOSFET, MOSFET, 6.5 A, 16 Ben 5 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 244-9155
- Tillv. art.nr:
- NCP51561BBDWR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 244-9155
- Tillv. art.nr:
- NCP51561BBDWR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 6.5A | |
| Antal ben | 16 | |
| Falltid | 16ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 19ns | |
| Minsta matningsspänning | 5V | |
| Maximal matningsspänning | 5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | NCP51 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 6.5A | ||
Antal ben 16 | ||
Falltid 16ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 19ns | ||
Minsta matningsspänning 5V | ||
Maximal matningsspänning 5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie NCP51 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ON Semiconductor Isolated High Current IGBT/MOSFET Gate Driver is high−current single channel. IGBT/MOSFET gate drivers with 5 kVrms internal galvanic isolation,designed for high system efficiency and reliability in high power applications. The devices accept complementary inputs and depending on the pin configuration, offer options such as Active Miller Clamp (version A/D/F), negative power supply (version B) and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs (version C/E) for system design convenience. The driver accommodate wide range of input bias voltage and signal levels from 3.3V to 20V and they are available in wide−body SOIC−8 package.
High Peak Output Current (+6.5 A/−6.5 A)
Low Clamp Voltage Drop Eliminates the Need of Negative Power Supply to Prevent Spurious Gate Turn−on (Version A/D/F)
Short Propagation Delays with Accurate Matching
IGBT/MOSFET Gate Clamping during Short Circuit
IGBT/MOSFET Gate Active Pull Down
Tight UVLO Thresholds for Bias Flexibility
Wide Bias Voltage Range including Negative VEE2 (Version B)
3.3 V, 5 V, and 15 V Logic Input
5 kVrms Galvanic Isolation
High Transient Immunity
High Electromagnetic Immunity
