AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET, 6.5 μA, 16 Ben 22 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 229-6337
- Tillv. art.nr:
- NCD57252DWR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
63,39 kr
(exkl. moms)
79,238 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 460 enhet(er) från den 26 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 31,695 kr | 63,39 kr |
| 20 - 198 | 27,33 kr | 54,66 kr |
| 200 + | 23,745 kr | 47,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-6337
- Tillv. art.nr:
- NCD57252DWR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 6.5μA | |
| Antal ben | 16 | |
| Falltid | 10ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Stigtid | 12ns | |
| Minsta matningsspänning | 5V | |
| Maximal matningsspänning | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.45mm | |
| Höjd | 2.65mm | |
| Bredd | 7.6 mm | |
| Serie | NCD57252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 6.5μA | ||
Antal ben 16 | ||
Falltid 10ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Antal utgångar 2 | ||
Stigtid 12ns | ||
Minsta matningsspänning 5V | ||
Maximal matningsspänning 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.45mm | ||
Höjd 2.65mm | ||
Bredd 7.6 mm | ||
Serie NCD57252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
The ON Semiconductor NCDV575 series high current dual channel isolated IGBT/MOSFET gate drivers with 2.5 or 5 kVrms internal galvanic isolation from input to each output and functional isolation between the two output channels. The device accepts 3.3 V to 20 V bias voltage and signal levels on the input side and up to 32 V bias voltage on the output side.
Design flexibility
Consistent performance
Faster switching capability
Short propagation delays with accurate matching