Infineon MOSFET, MOSFET 1, 8 A, 6 Ben 20 V, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 222-4766
- Tillv. art.nr:
- 1EDN8511BXUSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
7 914,00 kr
(exkl. moms)
9 894,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 9 000 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 2,638 kr | 7 914,00 kr |
| 6000 + | 2,572 kr | 7 716,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4766
- Tillv. art.nr:
- 1EDN8511BXUSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 8A | |
| Antal ben | 6 | |
| Falltid | 4.5ns | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 6.5ns | |
| Minsta matningsspänning | 4.2V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | 1EDN8511B | |
| Bredd | 1.6 mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.45mm | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 8A | ||
Antal ben 6 | ||
Falltid 4.5ns | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Antal utgångar 2 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 6.5ns | ||
Minsta matningsspänning 4.2V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 1 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie 1EDN8511B | ||
Bredd 1.6 mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.45mm | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 1-channel MOSFET gate driver ICs are the crucial link between control ICs and powerful MOSFET and GaN switching devices. Gate driver ICs enable high system level efficiencies, excellent power density and consistent system robustness.
-10V robustness of control and enable inputs provides crucial safety margin when driving pulse transformers
5A reverse output current robustness eliminates the need for Schottky switching diodes when driving MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages
Cool driver ICs thanks to true rail-to-rail low impedance output stages
4V and 8V UVLO (Under Voltage Lock Out) options for instant MOSFET protection during start-up and under abnormal conditions