onsemi MOSFET, MOSFET, 6.5 A, 5 Ben 18V, SOT-23

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

74,03 kr

(exkl. moms)

92,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 940 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4514,806 kr74,03 kr
50 - 9512,768 kr63,84 kr
100 - 49511,066 kr55,33 kr
500 - 9959,722 kr48,61 kr
1000 +8,848 kr44,24 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
233-6823
Tillv. art.nr:
NCP51100ASNT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Utström

6.5A

Antal ben

5

Falltid

17ns

Kapseltyp

SOT-23

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

20ns

Minsta matningsspänning

11V

Maximal matningsspänning

18V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

2.9mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.45mm

Serie

NCP51100

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

ON Semiconductor NCP51100ASNT1G är en 2 A grinddrivare som är utformad för att driva en N-kanals MOSFET med förstärkningsläge i lågströmsomkopplingstillämpningar genom att tillhandahålla höga toppströmspulser under korta omkopplingsintervall. Drivaren finns tillgänglig med TTL-ingångsgränser. Intern krets ger en låsfunktion för underspänning genom att hålla utgången låg tills matningsspänningen ligger inom driftsområdet. NCP51100 ger snabb MOSFET-omkopplingsprestanda, vilket bidrar till att maximera effektiviteten i högfrekvenskonverterkonstruktioner.

Den har ett driftspänningsområde på 11 V till 18 V

Den erbjuder en 3 A topp sink/källa med VDD på 12 V

Den erbjuder 2,5 A sink/1,8 A källa med VOUT på 6 V

Den har 14 ns / 7 ns typiska stig-/falltider (1 nF-belastning)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.