AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 6.5 A, 8 Ben 22 V, SOIC

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

12 257,00 kr

(exkl. moms)

15 321,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +12,257 kr12 257,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
233-6802
Tillv. art.nr:
NCD57090FDWR2G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Utström

6.5A

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

13ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Minsta matningsspänning

22V

Antal drivare

1

Maximal matningsspänning

22V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Serie

NCD57090

Standarder/godkännanden

No

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

AEC-Q100

The ON Semiconductor NCD57090FDWR2G is a high−current single channel IGBT/MOSFET gate drivers with 5 kVrms internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. The devices accept complementary inputs and depending on the pin configuration, offer options such as Active Miller Clamp for system design convenience. It has a low Clamp voltage drop that eliminates the need of negative power supply to prevent spurious gate turn−on. The driver accommodate wide range of input bias voltage and signal levels from 3.3 V to 20 V and they are available in wide−body SOIC−8 package.

It has High peak output current (+6.5 A/−6.5 A)

It provides short propagation delays with accurate matching

It offers IGBT/MOSFET gate clamping during short circuit

Relaterade länkar