Infineon MOSFET, Gate-drivare, 2 A, 14 Ben 300mV, PDIP

RS-artikelnummer:: 226-6188
Tillv. art.nr:: IRS2110STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon MOSFET, Gate-drivare, 2 A, 14 Ben 300mV, PDIP

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

15 428,00 kr

(exkl. moms)

19 285,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 12 juli 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	15,428 kr	15 428,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 226-6188
Tillv. art.nr:: IRS2110STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	Gate-drivare
	Utström	2A
	Antal ben	14
	Falltid	25ns
	Kapseltyp	PDIP
	Antal utgångar	2
	Typ av drivsteg	MOSFET
	Stigtid	25ns
	Minsta matningsspänning	10V
	Maximal matningsspänning	300mV
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	125°C
	Standarder/godkännanden	RoHS Compliant
	Serie	IRS
	Längd	10.5mm
	Höjd	2.65mm
	Bredd	7.6mm
	Typ av fäste	Yta
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp Gate-drivare
	Utström 2A
	Antal ben 14
	Falltid 25ns
	Kapseltyp PDIP
	Antal utgångar 2
	Typ av drivsteg MOSFET
	Stigtid 25ns
	Minsta matningsspänning 10V
	Maximal matningsspänning 300mV
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 125°C
	Standarder/godkännanden RoHS Compliant
	Serie IRS
	Längd 10.5mm
	Höjd 2.65mm
	Bredd 7.6mm
	Typ av fäste Yta
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRS2110STRPBF

Infineon IRS-serien grinddrivare, 10 V minsta matningsspänning, 2 A utgångsström – IRS2110STRPBF

Denna grinddrivare ger tvåkanalig MOSFET-drivkapacitet för strömomkopplingstillämpningar, utformad för att ansluta mellan logiknivåstyrning och effekttransistorer samtidigt som den arbetar inom ett brett temperaturområde. Den levereras som en 14-stifts PDIP-enhet avsedd för ytmontering och erbjuder riktad prestanda för system som kräver måttlig utgångsstyrning och snabba omkopplingsövergångar.

Funktioner och fördelar:

• Dubbla utgångar ger 2 A drivström för effektiv MOSFET-omkoppling
• Minsta matningskrav på 10 V säkerställer stabila gate-drivenivåer
• Stigtid 25 ns möjliggör snabb påslagning för minskade omkopplingsförluster
• Falltid 25 ns ger snabb avstängning för att begränsa korskoppling
• Fungerar från -40 till 125 °C för miljöer med höga temperaturer
• RoHS-kompatibel konstruktion stöder reglerade tillverkningsprocesser

Användningsområden

• Lämplig för att driva effekt-MOSFET:er i motorstyrningar
• Idealisk för användning i grindsteg för DC/DC-omvandlare
• Används med halv- och fullbrygga strömbrytare
• Kan användas för industriell växelriktargrindstyrning
• Används för gate-drivkretsar med pulsbreddsmodulering

Vilket kapslingsformat använder den för kretskortsintegrering?

Den levereras i ett 14-stifts PDIP-paket som är lämpligt för genomgående hål eller kompatibla ytmonteringsarrangemang.

Vilken strömkapacitet bör konstruktörer förvänta sig per utgång?

Varje utgång kan generera eller generera upp till 2 A för att direkt driva vanliga MOSFET-grindar.

Vilka begränsningar för matningsspänning gäller under designen?

Drivaren kräver en lägsta matningsspänning på 10 V och specificeras med en lågspänningströskelreferens på 0,3 V max för vissa interna nivåer.

Hur fungerar enheten vid förhöjda omgivningstemperaturer?

Enheten är klassad för drift upp till 125 °C maximalt, vilket möjliggör användning i termiskt krävande system.