IXYS MOSFET, MOSFET 1, 9 A, 8 Ben 35V, SOIC

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (5 enheter, i en förpackning med 5)*

103,94 kr

(exkl. moms)

129,93 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 1 575 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4520,788 kr103,94 kr
50 - 9518,458 kr92,29 kr
100 - 24516,644 kr83,22 kr
250 - 99516,262 kr81,31 kr
1000 +13,844 kr69,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
213-1632
Distrelec artikelnummer:
304-39-472
Tillv. art.nr:
IXDN609SIATR
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Utström

9A

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

15ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Antal utgångar

5

Stigtid

22ns

Minsta matningsspänning

4.5V

Maximal matningsspänning

35V

Antal drivare

1

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

1.75mm

Serie

IXD_609

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

IXYS gate driver är en höghastighets gate driver som är särskilt väl lämpad för att driva de senaste MOSFET och IGBT. Gate-drivdonet är konfigurerat som ett icke-inverterande drivdon.

Matchade stig- och falltider

Låg propagationsfördröjning

Låg utgångsimpedans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.