IXYS MOSFET, MOSFET 1, 9 A, 8 Ben 35V, SOIC

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

18 788,00 kr

(exkl. moms)

23 484,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +9,394 kr18 788,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
213-1631
Tillv. art.nr:
IXDN609SIATR
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Utström

9A

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

15ns

Antal utgångar

5

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

22ns

Minsta matningsspänning

4.5V

Antal drivare

1

Maximal matningsspänning

35V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Serie

IXD_609

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

IXYS gate driver är en höghastighets gate driver som är särskilt väl lämpad för att driva de senaste MOSFET och IGBT. Gate-drivdonet är konfigurerat som ett icke-inverterande drivdon.

Matchade stig- och falltider

Låg propagationsfördröjning

Låg utgångsimpedans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.