STMicroelectronics MOSFET, MOSFET, 18.5 A, 3 Ben 30V, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 193-5399P
- Tillv. art.nr:
- STP21N90K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras i ett rör)*
1 450,40 kr
(exkl. moms)
1 813,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 886 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 20 - 48 | 72,52 kr |
| 50 + | 60,425 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 193-5399P
- Tillv. art.nr:
- STP21N90K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 18.5A | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Falltid | 40ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 27ns | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Maximal matningsspänning | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 34.95mm | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 18.5A | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Falltid 40ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 27ns | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Maximal matningsspänning 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 34.95mm | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Dessa enheter är N-kanaliga effekt-MOSFET-transistorer som utvecklats med SuperMESHTM 5-teknik. Denna revolutionerande, avalanche-robusta, högspännings-Effekt-MOSFET-teknik är baserad på en innovativ egenutvecklad vertikal struktur. Resultatet är en drastisk minskning av påslagningsresistans och ultralåg grindladdning för tillämpningar som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet.
TO-220 RDS(on)
Ultralåg grindladdning
Zener-skyddad