STMicroelectronics MOSFET, Drivare för allmän tillämpning 1, 1.7 A, 8 Ben 55V, SO-8
- RS-artikelnummer:
- 190-6812P
- Tillv. art.nr:
- VNS1NV04PTR-E
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
400,40 kr
(exkl. moms)
500,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 90 | 8,008 kr |
| 100 - 240 | 7,594 kr |
| 250 - 490 | 7,235 kr |
| 500 + | 7,067 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 190-6812P
- Tillv. art.nr:
- VNS1NV04PTR-E
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Drivare för allmän tillämpning | |
| Utström | 1.7A | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Falltid | 600ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Antal utgångar | 5 | |
| Stigtid | 4μs | |
| Minsta matningsspänning | 40V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 55V | |
| Höjd | 1.25mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Drivare för allmän tillämpning | ||
Utström 1.7A | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Falltid 600ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Antal utgångar 5 | ||
Stigtid 4μs | ||
Minsta matningsspänning 40V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 55V | ||
Höjd 1.25mm | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics VNS1NV04P-E är monolitiska enheter som är utformade i VI Power M0-3-teknik, avsedd för ersättning av standard effekt-MOSFET:er från DC-tillämpningar upp till 50 kHz. Den är inbyggd i termisk avstängning, linjär strömbegränsning och överspänningsklämma som skyddar chippet i tuffa miljöer. Felåterkopplingen kan detekteras genom att övervaka spänningen vid ingångsstiftet.
ESD-skydd
Diagnostisk återkoppling via ingångsstift
Kompatibel med standard Power MOSFET
Direkt åtkomst till grinden för effekt-MOSFET (analog drivrutin)
Integrerad klämma